本地TLC实施11000 p/e，ATP更新N651SI/N651SC工业学位耐

6月25日，新闻之家，专业存储制造商ATP Huateng International昨天宣布，两个PCIE 4.0×4 NVME固态Drives N651SI/N651SC的耐用性与前5000 p/e相比增加了3次（在家中注意：编程路线的周期：循环）最多11,000 p/e。 ATP意味着以前的解决方案将是在512GB NAND软件包中建造的耐用工业学位的最佳本机TLC SSD，适用于编写密集的工作量。高质量NAND包装，严格的功能分析NAND IC，NAND检测和验证功能，ATP专利固件，特殊硬件配置和自我开发技术的综合效果。 ATP表明，其各种测试方法对Flash NAND内存的一般耐久性指标提供了全面的评估。 State UnitsATP N651SI固体优惠M.2 2280，U.2和EDSFF E1.S表格规格并支持OperatinG温度范围为-40°C至85°C。N651SC仅在M.2版本中可用，其工作温度范围为0°C至70°C。