如何进行常规QLC技术？

当观察整个电子产业时，综合高密度电路的发展无疑是常规趋势。与逻辑电路相比，非挥发性存储（例如闪光灯NAND）也应考虑稳定的电子设备。简单地改善制造过程不会很好地解决所有存储问题。在存储前提存储下寻找更高的存储密度可确保新技术和新产品的可持续发展。存储单元自然而然地提起空间。因此，在常规的SLC（唯一水平细胞），MLC（多级细胞），TLC（三重水平细胞）和QLC（四倍级细胞）之后。在本文中引用：技术在夜间尚未实现。 2007年，Kioxia的前身Toshiba Memory推出了其兼容的技术和产品。 INA SLC和MLC仍然是常规的时间，即使是TLC和QLC也类似于技术观点。添加了数据位，要求IRED电压状态增加了一倍，因此单元中的4位数据存储需要16个不同的电压状态公式，以及多个因素，例如传输率，寿命删除和数据位错误率，也必须考虑到它们。 QLC出生后很长一段时间以来，这会导致相应的方案的使用较低。它在市场上并不广泛使用并不意味着技术的重复已经停止。自QLC第一代产品推出以来，Kioxia不断改善QLC技术的创新，稳定性，性能和能力，这使QLC成熟且可靠。经过漫长的验证期，他对工业和QLC产品的认可开始在严格的商业领域表现出优势。中型手机上使用的Kioxia QLC UFS 4.0产品就是一个很好的例子。这是该行业的第一个QLC UFS 4.0产品。采用Kioxia 1TB BICS Flash 3D QLC技术时，T移动设备内部空间有限的内部空间的存储密度可能会大大增加，并且终端产品使用最小的物理空间，获得尽可能多的数据存储能力以及终端产品的设计。它可以增加空间并提高产品的竞争力。实际上，存储密度和传输速率直接影响终端产品的真实体验。 QLC和UFS 4.0的集成允许终端同事获得这两个特征。 QLC提供的高密度存储空间可帮助手机，平板和VR/AR设备增加内部空间中的存储容量，显示终端设计可能性并提高终端产品的竞争力。不仅如此，该产品可以充分利用其UFS 4.0接口速度。这将为您提供出色的阅读和写作经验，并在智能手机和选项卡等移动设备的尽头提供更好的体验让我们准备并为下一个代理创新应用（例如Edge和AR/VR计算）准备它。目前，Kioxia UFS 4.0产品已被该行业认可。我们将开始采用中型至高端移动产品。 1TB Kioxia BICS Flash 3D QLC技术仅仅是开始。基于内存的内存BICS FLASH 3D 2TB QLC技术也已发送到样本测试。这意味着您可以在大致相同的空间中获得2 TB的存储空间。支持新的QLC技术允许移动终端获得更大的存储容量。随着越来越流行的AI和AI，以较低的成本获得了更成熟，稳定和高效的存储空间，也提供了更大的好处。第八次Bicks Flash 3D QLC技术使用使用CBA技术（CMO）以创新的方式直接连接到矩阵上。记忆单元和逻辑单元被分为两个晶圆，并分别制造。在控制不同的制造温度时，两个单元可以Chieve更好的性能，这使QLC能够获得出色的传输效率，并将接口速度提高到3.6 Gbps行业的主要水平。这将允许将来的UFS 4.1产品提高以提高性能，而QLC UFS 4.1我绝对希望该产品能够到达。除2TB QLC外，在1TB QLC版本中还推出了8thbics Generation的BICS Kioxia 3D技术。与对容量进行了优化的2TB QLC相比，1 TB QLC可以改善约30％的顺序写作的性能，并读取约15％的潜伏期。 1TB QLC更适合高性能领域，包括客户SSD和移动设备。 QLC可能成为FTA之后的新趋势。 Kioxia QLC技术在十多年来积累了QLC技术产品中，不仅处于行业领先水平，而且还增加了终端产品和IND应用的新更新的可能性USTRY，为对数据存储的需求不断增长提供新的解决方案。